製品情報
パワーディスクリート
富士電機は、ディスクリートIGBT、SiC ショットキーバリアダイオード、自動車用パワーMOSFET などのパワーディスクリート製品を提供しております。
製品一覧
特長
ディスクリートIGBT
ディスクリートIGBTは、UPS、パワコン、エアコン、溶接機などの用途で、力率改善回路やDC/ACコンバータ回路に適用します。富士電機の独自技術で逆耐圧を有するRB-IGBTを製品化し、双方向スイッチや3レベルインバータ回路を構成できます。
SiCショットキーバリアダイオード（SiC-SBD）
SiC-SBD 2Gシリーズ
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高速スイッチング特性
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低VF特性：VPを従来比(対1G) 約15％低減(650V品)
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低IR特性
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高順サージ耐量：IFSMを従来比(対1G) 約60％向上
SiC-SBD 1Gシリーズ
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高速スイッチング特性
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低VF特性
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低IR特性
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高順サージ耐量
車載用MOSFET
富士電機の車載用MOSFET は、低損失、低ノイズ、低オン抵抗などの特長を有しています。
低耐圧MOSFET
低オン抵抗、高ゲート抵抗を特長とした
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自動車用Trench MOSFET
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IPS
をラインアップしています。
デザインサポート
ディスクリートIGBT
アプリケーションマニュアル
技術資料
シミュレーションソフトウェア
セレクションガイド
SiCショットキーバリアダイオード（SiC-SBD）
アプリケーションマニュアル
セレクションガイド
車載用MOSFET
