富士電機株式会社

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汎用インバータに最適なIGBTモジュール 600V素子

汎用インバータに最適なIGBTモジュール 600V素子の情報をご覧いただけます。

入力電圧 (AC)

日本 :
200V, 220V
北米 :
208V, 230V, 240V, 246V
欧州 :
200V, 220V, 230V, 240V

IGBTモジュールの適用例

AC200V

インバータ インバータ IGBTモジュール IGBT型式
定格容量 出力電流 素子定格 Vシリーズ Xシリーズ
kVA Arms   PIM 6-pack 2-pack x 3p PIM 2-pack x 3p
1.7 5 600V/10A
or
650V/10A
7MBR10VKC060-50
7MBR10VKA060-50
    7MBR10XKC065-50
7MBR10XKA065-50
 
2.4 7 600V/15A
or
650V/15A
7MBR15VKC060-50
7MBR15VKA060-50
    7MBR15XKC065-50
7MBR15XKA065-50
 
3.5 10 600V/20A
or
650V/20A
7MBR20VKC060-50
7MBR20VKA060-50
    7MBR20XKC065-50
7MBR20XKA065-50
 
4.8 14 600V/30A
or
650V/30A
7MBR30VKC060-50
7MBR30VKA060-50
    7MBR30XKC065-50
7MBR30XKA065-50
 
7.8 23 600V/50A
or
650V/50A
7MBR50VKD060-50
7MBR50VKB060-50
7MBR50VP060-50
7MBR50VY060-50
7MBR50VA060-50
6MBI50VA-060-50
6MBI50VW-060-50
  7MBR50XKB065-50
7MBR50XKD065-50
7MBR50XPA065-50
7MBR50XYA065-50
7MBR50XMA065-50
7MBR50XWA065-50
 
11 33 600V/75A
or
650V/75A
7MBR75VB060-50
7MBR75VP060-50
7MBR75VY060-50
6MBI75VA-060-50
6MBI75VW-060-50
  7MBR75XMA065-50
7MBR75XNA065-50
7MBR75XPA065-50
7MBR75XWA065-50
7MBR75XXA065-50
7MBR75XYA065-50
 
14 41 600V/100A
or
650V/100A
7MBR100VP060-50
7MBR100VB060-50
6MBI100VA-060-50
6MBI100VW-060-50
2MBI100VA-060-50 7MBR100XNA065-50
7MBR100XPE065-50
7MBR100XRA065-50
7MBR100XXA065-50
7MBR100XYE065-50
7MBR100XZA065-50
 
20 57 600V/150A
or
650V/150A
7MBR150VR060-50
7MBR150VZ060-50
6MBI150VB-060-50
6MBI150VX-060-50
2MBI150VA-060-50 7MBR150XRA065-50
7MBR150XRE065-50
7MBR150XXA065-50
7MBR150XZA065-50
2MBI150XAA065-50
26 76 600V/200A
or
650V/200A
    2MBI200VA-060-50   2MBI200XAA065-50
52 150 600V/300A
or
650V/300A
    2MBI300VB-060-50   2MBI300XBE065-50
73 212 600V/400A
or
650V/400A
    2MBI400VB-060-50
2MBI400VD-060-50
  2MBI400XBE065-50
2MBI400XDE065-50
109 315 600V/600A
or
650V/600A
    2MBI600VD-060-50
2MBI600VE-060-50
  2MBI600XDE065-50
2MBI600XEE065-50

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UP 更新

UD 開発中

注意事項

本適用例に記載の数値は、各IGBT製品の下記条件においてIGBTとFWDの接合温度(Tvj)が最大接合温度Tvj(max)以下となることを考慮した参考値であり、お客様の特定の目的や条件に適合することを保証した値ではありません。

回路:三相2レベルインバータ
PWM変調方式:正弦波変調
ケース温度(Tc)=100℃、スイッチング周波数(Fsw)=5kHz、
ゲート抵抗値(RG)=データシート記載値の1~2倍、出力周波数(FO)=5~50Hz、
力率(PF)=0.9、変調率(m)=1

IGBTモジュール選定の詳細についてはアプリケーションマニュアル第3章1 をご参照ください。

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