半導体について
新製品情報

こちらではパワー半導体の新製品情報をご紹介しています。

情報公開日	新製品情報
2023.07.11	搭載機器の消費電力量削減に貢献する第3世代小容量IPMの発売について
2023.06.02	電流共振IC FA6C64N の新製品情報を掲載しました。
2023.06.02	力率改善制御IC FA1B10N の新製品情報を掲載しました。
2021.10.26	データセンターや通信基地局の省電力化に貢献する第2世代ディスクリートSiC-SBDシリーズの発売について
2021.06.07	第7世代IPM Xシリーズの新製品情報を掲載いたしました。
2019.07.30	第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュールの系列拡大について
2018.08.31	産業機器の小型化を実現するRC-IGBTモジュールのサンプル出荷開始について
2017.02.01	軽負荷時の省エネに貢献する電源制御用ICの発売について
2016.03.31	スーパージャンクションMOSFET「Super J MOS® S2/S2FDシリーズ」の発売について
2014.10.20	各種LED照明、液晶テレビ、事務機器などの電源に最適な『力率改善制御IC(FA1Aシリーズ)』をリリース
2014.10.15	自動車向けの品質保証(AEC-Q101準拠)に対応した『自動車用Super J MOS®シリーズ』をリリース
2014.10.06	共振回路、インバータ回路に最適な『Super J MOS® 高速ダイオード内蔵タイプシリーズ』をリリース
2014.06.23	『小容量IPM』の電流定格を30Aまで拡大。様々な保護機能、アラーム出力のオプションを追加して系列拡大
2014.04.07	位相シフト制御方式に対応し、ダイオードの電流容量をUPした『高速IGBTモジュール(HJタイプ)』をラインアップに追加
2013.10.14	低待機電力、高効率を実現したワールドワイド入力対応の『電流共振IC(FA6Aシリーズ)』をリリ－ス
2013.04.22	3レベルインバータ(AT-NPC) の双方向スイッチ部に最適な『ディスクリートIGBT（High-Speed Vシリーズ　IC=IFタイプ）』をリリース
2013.04.15	３相３レベル回路に最適な『AT-NPC 3レベル 12in1 IGBTモジュール』をリリース
2012.10.08	DoE lot6規格に対応可能な低待機電力を実現した『PWM IC(FA8Aシリーズ)』をリリース
2012.01.11	業界最高レベルの低損失を実現したMOSFET『Super J MOS®シリーズ』をリリース