富士電機株式会社

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製品情報

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  • IGBT

    IGBT

    富士電機のIGBT モジュールはモータの可変速駆動装置や無停電電源装置等の電力変換器のスイッチング素子として開発されてきました。IGBT はパワーMOSFET の高速スイッチング性能とバイポーラトランジスタの高電圧・大電流処理能力とを合わせ持った半導体素子です。

  • SiCデバイス

    SiCデバイス

    SiC デバイスは、高耐圧、低損失、高周波動作および高温動作を実現する優れた特性を持っています。SiC を適用したパワー半導体は、大幅な省エネと搭載製品の小型・軽量化を実現することができます。

  • 電源制御用IC

    電源制御用IC

    富士電機の電源制御用IC はAC/DC、DC/DC それぞれにラインアップを揃えており様々な電源回路に対応が可能です。高効率、低待機電力、低ノイズを実現し、各種環境関連の規制に対応。更に、多くの保護機能をIC に内蔵しており、電源回路の小型化も実現できます。

  • パワーMOSFET

    パワーMOSFET

    富士電機のパワーMOSFET は、低損失、低ノイズ、低オン抵抗などの特長を有し、中耐圧から高耐圧品までラインアップしています。スーパージャンクション技術を適用した 『Super J MOSR』シリーズでは600V 耐圧品を中心に展開しています。

  • 整流ダイオード

    整流ダイオード

    富士電機の整流ダイオードは、低VF 特性、低IR などの特長を有し、電源のPFC 回路や二次側整流回路に対応が可能です。

  • 圧力センサ

    圧力センサ

    富士電機の圧力センサは、ピエゾ抵抗、調整回路、EMC 保護を1 チップに一体化しているため、システム全体の小型化に貢献できます。また、広範囲な圧力レンジに対応可能であり、様々な用途への適用が可能です。

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