富士電機株式会社

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改廃のお知らせ

こちらではパワー半導体の改廃のお知らせをご紹介しています。

改廃のお知らせ

情報公開日 内容 対象型式
2021.10.15 Super J MOS® S1シリーズ一部製品廃型のご案内 詳細はこちら
2014.03.10 バイポーラトランジスタ廃型のご案内 詳細はこちら
2014.03.10 IGBTモジュール Sシリーズ、Pシリーズ廃型のご案内 詳細はこちら
2010.11.16 IGBTモジュール Nシリーズは廃型品とさせていてただきます。 詳細はこちら
2008.08.29 サージ保護素子(Z-TRAP)は2008年10月1日より廃型品種へ移行致します。 詳細はこちら
2006.06.19 メサ構造ダイオード及び上部電極はんだ付けTOパッケージ品廃型のご案内 詳細はこちら
2005.11.04 高圧ダイオード「ESJC シリーズ」廃型のご案内 ESJCシリーズ

製品変更通知

情報公開日 内容 対象型式
2010.03.12 パワーMOSFET、ダイオードパッケージ捺印表示仕様変更のお知らせ 詳細はこちら
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