改廃のお知らせ
こちらではパワー半導体の改廃のお知らせをご紹介しています。
改廃のお知らせ
情報公開日 | 内容 | 対象型式 |
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2014.03.10 | バイポーラトランジスタ廃型のご案内 | 詳細はこちら |
2014.03.10 | IGBTモジュール Sシリーズ、Pシリーズ廃型のご案内 | 詳細はこちら |
2010.11.16 | IGBTモジュール Nシリーズは廃型品とさせていてただきます。 | 詳細はこちら |
2008.08.29 | サージ保護素子(Z-TRAP)は2008年10月1日より廃型品種へ移行致します。 | 詳細はこちら |
2006.06.19 | メサ構造ダイオード及び上部電極はんだ付けTOパッケージ品廃型のご案内 | 詳細はこちら |
2005.11.04 | 高圧ダイオード「ESJC シリーズ」廃型のご案内 | ESJCシリーズ |
製品変更通知
情報公開日 | 内容 | 対象型式 |
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2010.03.12 | パワーMOSFET、ダイオードパッケージ捺印表示仕様変更のお知らせ | 詳細はこちら |