パワー半導体
改廃のお知らせ
こちらではパワー半導体の改廃のお知らせをご紹介しています。
改廃のお知らせ
| 情報公開日 | 内容 | 対象型式 |
|---|---|---|
| 2014.03.10 | バイポーラトランジスタ廃型のご案内 | 詳細はこちら |
| 2014.03.10 | IGBTモジュール Sシリーズ、Pシリーズ廃型のご案内 | 詳細はこちら |
| 2010.11.16 | IGBTモジュール Nシリーズは廃型品とさせていてただきます。 | 詳細はこちら |
| 2008.08.29 | サージ保護素子(Z-TRAP)は2008年10月1日より廃型品種へ移行致します。 | 詳細はこちら |
| 2006.06.19 | メサ構造ダイオード及び上部電極はんだ付けＴＯパッケージ品廃型のご案内 | 詳細はこちら |
| 2005.11.04 | 高圧ダイオード「ESJC シリーズ」廃型のご案内 | ESJCシリーズ |
製品変更通知
| 情報公開日 | 内容 | 対象型式 |
|---|---|---|
| 2010.03.12 | パワーMOSFET、ダイオードパッケージ捺印表示仕様変更のお知らせ | 詳細はこちら |