富士電機株式会社

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パワー半導体

‌EV, HEV用IGBT IPM

ドライブ回路と保護機能を内蔵した‌EV, HEV用IGBT IPM

EV, HEV用IGBT IPM 1200Vクラス

(Tvj =25℃)

Packege Device type VCES
Volt
IC(Cont)
Amps.
VCE(sat)
Typ. Volts
VF
Typ. Volts
Net mass Grams

P401
2MBP600UN-120V 1200 600 2.00 2.20 680g

:新製品

:更新

:開発中

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