富士電機株式会社

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パワー半導体

‌EV, HEV用IGBT モジュール

直接水冷銅フィンベース構造採用、 高パワー密度および小型パッケージを実現した‌EV, HEV用IGBT モジュール製品の中にIGBTとFWDを各6個内蔵。また、温度検出用のサーミスタも内蔵。

EV, HEV用IGBT モジュール 750Vクラス

EV, HEV用IGBT モジュール 6MBI800XV-075V-01 新製品情報 PDF

※製品画像をクリックすると等価回路図をご覧いただけます。

VCE(sat):at Tvj=25℃, Chip

Packege Device type VCES
Volt
IC(Cont)
Amps.
IC(Peak)
Amps.
VCE(sat)
Typ. Volts
VF
Typ. Volts
Net mass Grams

M653
6MBI800XV-075V-01 750 570 1600 1.45 (IC=800A) 1.50 (IF=800A) 560g

:新製品

:更新

:開発中

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