富士電機株式会社

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パワー半導体

‌EV, HEV用IGBT モジュール

第7世代RC-IGBTチップと、モジュールと冷却器を一体化させた直接水冷構造の採用により、モジュールの低損失化と小型化を実現。
また、電流センスIGBTと温度センスダイオードの内蔵により、高速、高精度の過熱保護、短絡保護を実現。

EV, HEV用IGBT モジュール 750Vクラス

EV, HEV用IGBT モジュール 6MBI800XV-075V-01 新製品情報 PDF

※製品画像をクリックすると等価回路図をご覧いただけます。

VCE(sat):at Tvj=25℃, Chip

Packege Device type VCES
Volt
IC(Cont)
Amps.
IC(Peak)
Amps.
VCE(sat)
Typ. Volts
VF
Typ. Volts
Net mass Grams

M653
6MBI800XV-075V-01 750 570 1600 1.45 (IC=800A) 1.50 (IF=800A) 560g

:新製品

:更新

:開発中

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