当社は、インバータなどのパワエレ機器の高効率化、小型化、高信頼性に貢献する業界トップクラスの低損失チップと高放熱性、高信頼性を実現するパッケージング技術を保有しており、グローバルな生産拠点、販売・デザインセンターを活用した顧客サポートによりIGBTモジュール市場で世界シェア3位というトップクラスのポジションにあります。

これらパワー半導体事業の強みを活かし、中長期的に市場伸長が見込まれるモータドライブ分野や再生可能エネルギー分野、電動車向けを中心に製品の新規スペックインおよび新規顧客開拓を確実に実行していきます。

産業分野では、新製品拡販により市場伸長率を上回る売上拡大を目指し、電装分野では、新規顧客開拓と確実なスペックインにより2028年度以降の売上拡大を図ります。

装置の小型化、システムコストダウン、高効率化といった高度な技術ニーズに対応するための新製品開発に継続的に取り組みます。

産業分野では、第7世代と比較して発生損失を15%以上低減し、同一パッケージで定格電流を拡大させた第8世代IGBTモジュールを量産化します。また、当社独自パッケージング技術で差別化し、中容量と大容量の中間領域に最適な新中容量モジュールを開発し、中長期的に市場伸長が見込まれる再生可能エネルギー向けやデータセンター向けなどの顧客装置に最適な製品を提供します。

電装分野では、独自の立体配線技術により小型化・薄型化を実現しモジュール内部のインダクタンス^※を大幅低減させた高出力用SiCモジュールを量産化します。また、同一パッケージで幅広い定格系列化が可能な次世代薄型パッケージのSiCモジュールのサンプル展開を開始します。これらの新製品により、顧客装置の小型化、低コスト化に貢献していきます。

※インダクタンス：この値が大きくなるとスイッチング損失やノイズが増大

チップ製造工程（前工程）では、需要に対応したSiCの生産能力増強と第8世代IGBTの量産対応、小口径生産ラインの縮小を推進します。SiCは、津軽工場に続き松本工場で6インチの生産を開始するとともに8インチの量産準備を推進します。Siは、6インチ以下の小口径ラインを計画的に縮小・閉鎖し、8インチ化への生産シフトにより生産性の向上、合理化を推進し収益力の向上を図ります。

組立工程（後工程）では、新製品の量産立上げと需要増に対応した生産能力増強を推進します。国内拠点では、産業分野向け第8世代IGBTモジュールおよび電装分野向け新製品SiCモジュールの生産開始、産業用大容量モジュールおよび電動車向け小型IGBTモジュールの生産能力を増強します。中国やマレーシアなどの海外拠点では、グローバルで需要が継続している第7世代IGBTモジュールの生産能力を前年度比で20〜30%増強し、産業分野向け需要増に確実に応える体制を実現します。